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    技術文章

    上海伯東提供適用于薄膜太陽能電池生產的離子源和真空系統

    閱讀:264          發布時間:2023-10-12

    沒有真空, 就不可能有可再生能源. 例如光伏發電 PV, 這是一種廣為人知的發電方法, 即利用太陽能電池, 通過光伏效應, 將來自太陽的能量轉換為電子流, 從而產生電能.

    太陽能電池技術有多種類型, 主要技術之一是基于薄膜沉積. 該技術的主要優勢是太陽能電池生產中的材料消耗低. 除諸如碲化鎘 CdTe 之類材料外, 銅銦鎵硒化物 CIGS 也經常用于吸收層. 這些層可以沉積在玻璃等非柔性基板上, 或者金屬帶材或箔片等柔性基板上, 又或柔性薄玻璃上, 然后須將基板裝入一個大型真空室內. 在該真空腔室內會進行多種 PVD 工藝, 例如濺射或蒸發, 以生成多層太陽能電池. 取決于不同工藝, 為了沉積這些層, 需要 10-3 至 10-6 hPa 范圍內的真空. 由于表面積較大, 高抽速是必不少的并且真空需要潔凈無碳, 以確保高品質涂層.

    薄膜沉積真空系統應用要求
    維護間隔長, 正常運行時間延長
    無碳真空
    高抽速, 快速抽空

    上海伯東推薦德國 Pfeiffer 真空泵典型配置

    型號

    大抽速渦輪分子泵
    HiPace 2300 U

    全磁浮分子泵
    ATH 2804 M

    羅茨泵組
    CombiLine RH 2404 L

    圖片

    普發分子泵 HiPace 2300U

    全磁浮分子泵

    干式羅茨泵組 CombiLine™ RH 系列

    進氣口

    DN 250 ISO-F

    DN 250 ISO-F

    DN 160 ISO-F

    氮氣抽速

    1900 l/s

    2350 l/s

    2348 m3/h

    極限真空

    1X10-7 mbar

    < 1X10-8 mbar

    1X10-2 mbar


    濺射或蒸發工藝要求
    滿足多層膜的制備
    維護間隔長
    膜層致密, 不易脫落

    通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可實現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密, 膜基附著力更好,  膜層不易脫落. 其中 RF 射頻離子源提供高能量, 低濃度的離子束, 離子源單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜工藝. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

    IBSD 濺射鍍膜離子源

    上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 參數:

    型號

    RFICP 40

    RFICP 100

    RFICP 140

    RFICP 220

    RFICP 380

    Discharge 陽極

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    離子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵極直徑

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    22 cm Φ

    38 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射


    流量

    3-10 sccm

    5-30 sccm

    5-30 sccm

    10-40 sccm

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    長度

    12.7 cm

    23.5 cm

    24.6 cm

    30 cm

    39 cm

    直徑

    13.5 cm

    19.1 cm

    24.6 cm

    41 cm

    59 cm

    中和器

    LFN 2000


    薄膜沉積應用于眾多零部件產品的生產, 例如眼鏡, 手機, 屏幕顯示器等. 一般通過物理氣相沉積 PVD 或化學氣相沉積 CVD 實現. 薄膜直接施加到零部件表面上, 總厚度小于 10 µm. 薄膜沉積需要在真空環境下進行. 上海伯東提供德國 Pfeiffer 真空產品和美國 KRi 考夫曼離子源助力薄膜沉積工藝發展.

    RF 射頻離子源

    若您需要進一步的了解薄膜太陽能電池生產的離子源和真空系統, 請參考以下聯絡方式

    上海伯東: 羅小姐


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